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射频晶体管
PD57030S-E参考图片

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PD57030S-E

  • STMicroelectronics
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
400
¥262.3295
104931.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14 dB
输出功率
30 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57030-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
52.8 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD57030S-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥5,153.6588
参考库存:39320
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.3504
100:¥1.2769
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.77631
参考库存:15400
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:84427
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W TO270-2
1:¥297.4499
5:¥282.387
10:¥277.5506
25:¥251.5719
500:¥214.6096
参考库存:39329
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Radio-frequency Bipolar Transistor
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.3786
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.84524
参考库存:15179
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