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射频晶体管
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MRF313

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数量单价合计
1
¥345.78
345.78
10
¥288.15
2881.5
25
¥259.335
6483.375
50
¥230.52
11526
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
150 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
305A-01
封装
Tray
工作频率
400 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
6.1 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MRF313的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
1:¥81.5295
10:¥74.919
25:¥71.8454
100:¥63.3139
参考库存:8611
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230HS
150:¥1,073.6808
参考库存:40003
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥403.2518
2:¥392.3473
5:¥381.5106
10:¥370.5948
参考库存:6743
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6300-230
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:40010
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt
1:¥5,780.2099
参考库存:6825
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