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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
技术	GaN
增益	19.4 dB
输出功率	75 W
最小工作温度	- 40 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	DFN-6
封装	Reel
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	DC to 3.6 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1132691

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BFU520XRVL	NXP Semiconductors	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor	10,000:¥0.89157 20,000:¥0.81473 50,000:¥0.78422 100,000:¥0.75258	参考库存:38802
AFT09H310-03SR6	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ310W NI1230S-4S	150:¥1,030.3453	参考库存:38807
AGR19045EF	Advanced Semiconductor, Inc.	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 9.5Watt Gain 15dB	1:¥424.541 5:¥389.5788 10:¥349.622 25:¥309.6652	参考库存:38812
AFV141KGSR5	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KGS/CFM4///REEL 13	50:¥3,786.4492	参考库存:38817
ARF465BG	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥351.8481 2:¥342.2431 5:¥332.7963 10:¥323.2704	参考库存:5522