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射频晶体管
PTVA082407NF-V1-R5参考图片

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PTVA082407NF-V1-R5

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
500
¥548.8636
274431.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
增益
22.5 dB
输出功率
240 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-HBSOF-4-1
封装
Reel
工作频率
746 MHz to 821 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTVA082407NF-V1-R5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFV121KHR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KH/CFM4F///REEL 13
1:¥4,136.139
5:¥4,072.52
10:¥4,011.8955
25:¥3,925.3714
50:¥3,865.052
参考库存:38773
ARF1511
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,461.0335
2:¥1,425.8453
5:¥1,405.0194
10:¥1,385.1201
参考库存:5408
SD2943W
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
1:¥1,051.7814
5:¥1,031.1137
10:¥983.0887
25:¥962.421
参考库存:5640
PTFB091507FH-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥518.67
参考库存:38782
MRF6V3090NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 270WB4
1:¥488.2391
5:¥474.0237
10:¥463.8085
25:¥444.3612
500:¥382.1999
参考库存:38787
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