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射频晶体管
BFP 520F H6327参考图片

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BFP 520F H6327

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.11418
3342.54
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP520
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1 V
集电极连续电流
40 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
45 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP520FH6327XTSA1 BFP52FH6327XT SP000745282
商品其它信息
优势价格，BFP 520F H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF2010GNR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010GN/FM14F///REEL 13 Q2 DP
500:¥1,983.0144
参考库存:35114
MAX2602ESA+
Maxim Integrated
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射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap
1:¥35.1882
25:¥27.5042
50:¥23.8204
250:¥23.278
1,000:¥21.2101
参考库存:2859
GTVA123501FA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 350W
1:¥3,749.1818
50:¥3,749.1818
参考库存:1981
MRF10120
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥1,344.70
参考库存:1883
A2T18S160W31GSR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S160W31GS/CFM4///REEL 13 Q2 NDP
250:¥773.6206
参考库存:35125
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