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射频晶体管
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TGF2819-FS

  • Qorvo
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
14 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.9 V
Id-连续漏极电流
7.32 A
输出功率
100 W
最大漏极/栅极电压
145 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
86 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
3.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
开发套件
TGF2819-FS/FL, EVAL BOARD
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1118705 772-TGF2819-FS-EVB1
商品其它信息
优势价格，TGF2819-FS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CG2H80015D-GP4
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt
暂无价格
参考库存:37488
AFV10700GSR5
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV10700GS/CFM4///REEL 13
50:¥3,124.4726
参考库存:37493
PD84010TR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS Trans 10W 14.3 dB 870MHz
1:¥126.6278
10:¥116.4917
25:¥111.644
100:¥98.3552
600:¥87.5185
参考库存:37498
D1020UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-175MHz SE
1:¥1,610.3404
10:¥1,416.003
25:¥1,286.4598
50:¥1,129.0847
参考库存:37503
A2T27S020NR1
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T27S020N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
1:¥201.479
5:¥198.4054
10:¥185.7946
25:¥167.0479
500:¥144.075
参考库存:37508
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