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射频晶体管
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D2082UK

  • Semelab / TT Electronics
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TetreFET 40W-12V- 1.0GHz
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数量单价合计
1
¥1,139.6954
1139.6954
10
¥1,004.1406
10041.406
25
¥893.265
22331.625
50
¥800.831
40041.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.6 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
8 dB
输出功率
40 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DK
配置
Dual
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D2082UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
1:¥2,140.1522
5:¥2,077.2112
10:¥1,947.2047
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz13.5Watt Gain 14.5dB
10:¥726.138
30:¥643.1508
50:¥580.9104
100:¥560.1636
参考库存:36298
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S
250:¥908.1697
参考库存:36303
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.2713
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.68365
参考库存:17268
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
1:¥115.9493
10:¥106.5816
25:¥102.1972
100:¥90.061
参考库存:4910
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