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晶体管
STGW30NC60VD参考图片

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STGW30NC60VD

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库存:5,471(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.5835
31.5835
10
¥26.8149
268.149
100
¥23.278
2327.8
250
¥22.0576
5514.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGW30NC60VD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
高度
21.09 mm
长度
16.03 mm
宽度
5.16 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW30NC60VD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT
1:¥50.4093
10:¥42.8044
100:¥37.1092
250:¥35.1882
参考库存:14446
晶体管
MOSFET Nch 45V 7A MOSFET
1:¥7.6049
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
2,500:¥4.3844
参考库存:14828
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Plastic-Encapsulate
1:¥3.4578
10:¥2.5538
100:¥1.9097
500:¥1.6159
1,000:¥1.243
参考库存:15335
晶体管
MOSFET 20V 1.2A
1:¥2.7685
10:¥2.1244
100:¥1.1526
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.7458
9,000:¥0.69947
参考库存:3722
晶体管
达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
2,000:¥0.95259
参考库存:10384
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