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晶体管
DMN2053U-13参考图片

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DMN2053U-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.3843
23.843
100
¥1.02152
102.152
1,000
¥0.78422
784.22
10,000
¥0.52997
5299.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
6.5 A
Rds On-漏源导通电阻
29 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
4.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
3.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.9 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.5 ns
典型接通延迟时间
2.6 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DMN2053U-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07H310-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,057.0924
参考库存:44520
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双极晶体管 - 预偏置 250mW Single (R1/R2)
3,000:¥0.83733
参考库存:44525
晶体管
MOSFET MOSFET
10,000:¥0.66896
20,000:¥0.62263
参考库存:44530
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 4Watt NF 1.3dB GaN
50:¥182.3368
100:¥161.138
250:¥149.838
500:¥139.3855
参考库存:44535
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
4,800:¥4.3053
9,600:¥4.1471
参考库存:44540
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