您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
NGTB30N120IHRWG参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

NGTB30N120IHRWG

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 晶体管 1200V/30A RC IGBT FSII
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:4,492(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.3408
36.3408
10
¥30.8942
308.942
100
¥26.8149
2681.49
250
¥25.4363
6359.075
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
384 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
NGTB30N120IHR
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,NGTB30N120IHRWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 4V DRIVE PCH MOSFET
1:¥2.9154
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92999
3,000:¥0.85315
参考库存:63131
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥33.6514
10:¥28.589
100:¥24.747
250:¥23.5153
参考库存:6798
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥120.3337
10:¥109.4179
25:¥101.2028
50:¥95.7449
参考库存:2360
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Automotive-grade low voltage NPN power transistor
1:¥6.5314
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
1,000:¥2.9945
参考库存:18432
晶体管
MOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm
1:¥6.6105
10:¥5.5144
100:¥3.5482
1,000:¥2.8476
1,500:¥2.3956
参考库存:12174
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号