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晶体管
TK7A90E,S4X参考图片

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TK7A90E,S4X

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS
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数量单价合计
1
¥13.0628
13.0628
10
¥10.5316
105.316
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.345
3672.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK7A90E
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK7A90E,S4X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDS5690
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SO-8 N-CH 60V
1:¥7.2207
10:¥6.1246
100:¥4.7008
500:¥4.1584
1,000:¥3.277
2,500:¥3.277
参考库存:19057
PEMH9,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.46104
参考库存:404484
FD600R17KE3_B2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 950A
1:¥7,150.0411
参考库存:1676
MRF426
MACOM
晶体管
射频(RF)双极晶体管 1.5-30MHz 25Watts 28Volt Gain 22dB
1:¥270.3186
5:¥265.0189
10:¥263.5612
25:¥243.2777
参考库存:2533
PSMN034-100PS,127
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET
1:¥7.684
10:¥6.5653
100:¥5.0398
500:¥4.4522
参考库存:20565
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