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晶体管
STH170N8F7-2参考图片

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STH170N8F7-2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 package
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数量单价合计
1
¥22.5096
22.5096
10
¥19.1309
191.309
100
¥15.2889
1528.89
500
¥13.3679
6683.95
1,000
¥11.0627
11062.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H2PAK-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
3.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
120 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.8 mm
长度
15.8 mm
产品
Power MOSFET
系列
STH170N8F7-2
类型
STripFET F7
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
37 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
53 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
79 ns
典型接通延迟时间
38 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STH170N8F7-2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC 848BW H6327
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3,000:¥0.22261
42,000:¥0.22261
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100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
8,000:¥1.2882
24,000:查看
参考库存:41564
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