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产品分类

晶体管
IHW15N120E1XKSA1参考图片

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IHW15N120E1XKSA1

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库存:3,987(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.9728
20.9728
10
¥17.8314
178.314
100
¥14.2945
1429.45
500
¥12.4526
6226.3
1,000
¥10.3734
10373.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
156 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
零件号别名
IHW15N120E1 SP001391908
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IHW15N120E1XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T8 80V SG SO-8FL-U
1:¥6.9156
10:¥5.8873
100:¥4.52
500:¥4.0002
1,000:¥3.1527
1,500:¥3.1527
参考库存:9039
晶体管
IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE
1:¥840.1663
5:¥824.7192
10:¥787.61
25:¥761.3262
参考库存:1666
晶体管
IGBT 模块 600V 50A DUAL
1:¥452.9718
5:¥442.7566
10:¥425.4676
25:¥411.7833
参考库存:1588
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NBRT
1:¥3.1527
10:¥2.034
100:¥0.87575
1,000:¥0.66896
8,000:¥0.45313
24,000:查看
参考库存:24048
晶体管
IGBT 模块 600V 300A Dual
1:¥938.6797
5:¥920.2381
10:¥877.3546
参考库存:24053
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