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晶体管
NGTB20N60L2TF1G参考图片

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NGTB20N60L2TF1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 晶体管 600V 20A IGBT TO-3PF
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库存:4,527(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.6678
22.6678
10
¥19.21
192.1
100
¥16.6788
1667.88
250
¥15.8313
3957.825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF-3L
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.45 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
64 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
NGTB20N60L2TF1G
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,NGTB20N60L2TF1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 1.8V P-Channel
1:¥6.0681
10:¥4.9042
100:¥3.729
500:¥3.0736
1,000:¥2.4634
2,500:¥2.2261
参考库存:84365
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 45
1:¥1.5368
10:¥1.4012
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:303617
晶体管
MOSFET N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥18.5998
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
2,500:¥8.5315
5,000:查看
参考库存:9929
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET I-PAK
1:¥13.5261
10:¥11.30
100:¥8.7575
500:¥7.6162
1,000:¥6.3054
参考库存:19796
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥8.8366
10:¥7.4806
100:¥5.7517
500:¥5.0737
800:¥4.0115
参考库存:78323
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