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晶体管
APT33GF120BRG参考图片

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APT33GF120BRG

  • Microsemi
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  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Single
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库存:3,861(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥79.6876
79.6876
10
¥71.6872
716.872
25
¥65.314
1632.85
50
¥60.8618
3043.09
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
52 A
Pd-功率耗散
297 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
52 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
52 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT33GF120BRG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
1:¥12.5204
10:¥10.3734
100:¥7.91
500:¥6.8026
3,000:¥5.0172
6,000:查看
参考库存:4748
晶体管
MOSFET 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET
1:¥45.6407
10:¥41.2676
25:¥39.3466
100:¥34.1938
3,000:¥24.973
参考库存:58435
晶体管
MOSFET N-CHAN80V 50A
1:¥8.1473
10:¥6.9495
100:¥5.3336
500:¥4.7121
参考库存:4612
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 45V 1MA
1:¥2.5312
10:¥1.6837
100:¥0.70738
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.37629
参考库存:15919
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:322696
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