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晶体管
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IPB180N04S3-02

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数量单价合计
1
¥23.4362
23.4362
10
¥19.8993
198.993
100
¥17.289
1728.9
250
¥16.3624
4090.6
1,000
¥12.4526
12452.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPB180N04S302ATMA1 IPB18N4S32XT SP000254821
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格，IPB180N04S3-02的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STD60NF3LLT4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 30 Volt 60 Amp
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.3789
500:¥6.5201
参考库存:41133
2N3735
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥136.617
10:¥124.1757
25:¥114.7967
50:¥108.6495
参考库存:9716
FF450R12IE4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 450A
1:¥2,889.7942
5:¥2,715.6047
参考库存:9458
R6008FNJTL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A
1:¥25.199
10:¥21.4361
100:¥18.5207
250:¥17.5941
1,000:¥13.2888
2,000:查看
参考库存:41142
MMSTA13T146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SMT NPN
1:¥3.1527
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
参考库存:41147
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