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晶体管
IGW30N60T参考图片

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IGW30N60T

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
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数量单价合计
1
¥28.815
28.815
10
¥24.4306
244.306
100
¥21.2101
2121.01
250
¥20.1366
5034.15
500
¥18.0574
9028.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
20.9 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.03 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW30N60TFKSA1 IGW3N6TXK SP000054925
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IGW30N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V, 49mOhm NexFET Power MOSFET
1:¥5.6839
10:¥4.6895
100:¥3.0397
250:¥3.0397
1,000:¥2.4408
参考库存:6888
晶体管
MOSFET 1000V/1.6A/N-CH
1:¥7.9891
10:¥6.78
100:¥5.198
500:¥4.5991
参考库存:92735
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SOT-23 -0.6A -60V VCEO
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:79077
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 X2-DFN1006-3 T&R 3K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:73004
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC
1:¥28.1257
10:¥23.8995
100:¥20.7468
250:¥19.6733
500:¥17.6732
800:¥14.9047
参考库存:38556
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