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晶体管
APT25GT120BRDQ2G参考图片

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APT25GT120BRDQ2G

  • Microsemi
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  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
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数量单价合计
1
¥71.077
71.077
10
¥63.9354
639.354
25
¥58.2402
1456.005
100
¥52.5563
5255.63
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
54 A
Pd-功率耗散
347 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
54 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
54 A
栅极—射极漏泄电流
120 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Thunderbolt IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT25GT120BRDQ2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥69.0769
10:¥68.5458
25:¥62.3986
100:¥56.3192
参考库存:3716
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 100V 15W PNP
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
2,500:¥1.469
参考库存:63513
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥3.2318
10:¥2.7233
100:¥1.6611
1,000:¥1.2882
3,000:¥1.09836
参考库存:91290
晶体管
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 3.5A
1:¥4.9155
10:¥4.0567
100:¥2.4747
1,000:¥1.9097
3,000:¥1.6272
参考库存:40552
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 25V 10mA
1:¥6.9947
10:¥6.2376
25:¥5.6387
100:¥4.9381
3,000:¥2.6781
6,000:查看
参考库存:26984
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