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晶体管
MMDT4401-7-F参考图片

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MMDT4401-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 200mW
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
1661.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.75 V
最大直流电集电极电流
0.6 A
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMDT44
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1 mm
长度
2.2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.6 A
Pd-功率耗散
200 mW (1/5 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,MMDT4401-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V NPN High Gain 180V 85mOhm
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:12568
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
1:¥34.1147
10:¥28.9732
100:¥25.1312
250:¥23.8204
1,000:¥18.0574
2,000:查看
参考库存:7650
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB
1:¥291.6078
10:¥280.5451
参考库存:4012
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 10V 5.8A
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:442359
晶体管
MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
1:¥323.1913
5:¥315.9706
10:¥313.123
25:¥310.2754
参考库存:6606
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