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FF200R12KE4

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数量单价合计
1
¥799.6784
799.6784
5
¥784.9997
3924.9985
10
¥749.6533
7496.533
25
¥724.6803
18117.0075
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
在25 C的连续集电极电流
240 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1100 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF200R12KE4HOSA1 SP000370604
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格，FF200R12KE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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