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晶体管
STGP10H60DF参考图片

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STGP10H60DF

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
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数量单价合计
1
¥14.3736
14.3736
10
¥12.2153
122.153
100
¥9.7632
976.32
500
¥8.5315
4265.75
1,000
¥7.0964
7096.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
115 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP10H60DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
10 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGP10H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.6894
10:¥1.8758
100:¥0.78422
1,000:¥0.53788
3,000:¥0.42262
参考库存:49865
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25V NPN Low Sat
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
参考库存:10972
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 30MA
1:¥2.8476
10:¥2.147
100:¥1.1639
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.75258
参考库存:14104
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 500MA
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
参考库存:16976
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Curr High Spd
1:¥56.6356
10:¥51.1777
25:¥48.7934
100:¥42.3411
参考库存:5033
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