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晶体管
SQS944ENW-T1_GE3参考图片

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SQS944ENW-T1_GE3

  • Vishay Semiconductors
  • 最新
  • MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
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库存:17,160(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.5935
55.935
100
¥4.2375
423.75
500
¥3.503
1751.5
3,000
¥2.5425
7627.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
0.76 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
27.8 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值
2.5 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
7.6 ns
商品其它信息
优势价格,SQS944ENW-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC Qg
1:¥16.3624
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.6841
1,000:¥8.0682
参考库存:11777
晶体管
MOSFET 100V SINGLE N-CH 28.5mOhms 39nC
1:¥7.8422
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.5652
1,000:¥3.6047
3,000:¥3.6047
参考库存:13944
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC
1:¥21.8203
10:¥18.5207
100:¥16.0573
250:¥15.2098
参考库存:19021
晶体管
MOSFET N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
3,000:¥16.3624
参考库存:14908
晶体管
MOSFET N Ch 24V 0.8m 280A Pwr MOSFET
1:¥41.6518
10:¥35.3464
100:¥30.6569
250:¥29.1201
600:¥26.1256
参考库存:7020
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