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晶体管
VT6J1T2CR参考图片

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VT6J1T2CR

  • ROHM Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 1.2V Drive Pch+Pch MOSFET
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库存:128,924(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.1018
21.018
100
¥0.90626
90.626
1,000
¥0.69947
699.47
8,000
¥0.46895
3751.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VMT-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
100 mA
Rds On-漏源导通电阻
40 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
VT6J1
晶体管类型
2 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
137 ns, 137 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
62 ns
工厂包装数量
8000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
325 ns
典型接通延迟时间
46 ns
零件号别名
VT6J1
商品其它信息
优势价格,VT6J1T2CR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
3,000:¥0.2147
9,000:¥0.18419
24,000:¥0.1695
45,000:¥0.14577
99,000:¥0.12317
参考库存:40439
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/30A CJ52 FAST IGBT
206:¥21.8994
250:¥20.8259
500:¥18.6676
1,000:¥15.7522
参考库存:112232
晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥5,153.6588
参考库存:40446
晶体管
MOSFET 30V 5.9A 2.0W 36mohm @ 10V
2,500:¥4.7234
5,000:¥4.4861
10,000:¥4.3166
参考库存:40451
晶体管
MOSFET N-channel 80 V 25 mo FET
1:¥5.6839
10:¥4.6895
100:¥3.0284
1,000:¥2.4182
1,500:¥2.0453
参考库存:40456
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