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晶体管
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CSD87330Q3D

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 30V Sync Buck NexFET Power Block
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数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.0399
3519.95
2,500
¥5.4353
13588.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LSON-CLIP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
20 A
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 750 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
4.8 nC, 9.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD87330Q3D
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
76 S, 51 S
开发套件
EVMK2GXS, EVMK2G, EVMK2GX
下降时间
1.7 ns, 1.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.8 ns, 7.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.4 ns, 9.1 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns, 4.5 ns
单位重量
68 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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