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晶体管
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2SB1201S-E

  • ON Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 2A 50V
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数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.0906
40.906
100
¥2.4973
249.73
1,000
¥1.9323
1932.3
2,500
¥1.6498
4124.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
150 mV, - 300 mV
最大直流电集电极电流
4 A, - 4 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SB1201
封装
Bulk
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
2 A
Pd-功率耗散
800 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
4 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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