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晶体管
RQ3E070BNTB参考图片

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RQ3E070BNTB

  • ROHM Semiconductor
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  • MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.3956
23.956
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.84524
845.24
3,000
¥0.72207
2166.21
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSMT-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
RQ3E070BN
单位重量
5.577 g
商品其它信息
优势价格,RQ3E070BNTB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V TR
1:¥8.6106
10:¥7.2998
100:¥5.6048
500:¥4.9607
1,000:¥3.9098
1,500:¥3.4691
参考库存:17614
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
1:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.9495
500:¥6.1359
参考库存:9476
晶体管
IGBT 晶体管 NGD8201ANT4G GEN4 IGBT
1:¥11.0627
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:¥6.0003
1,000:¥4.8816
2,500:¥4.8703
参考库存:55153
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 7.6A 26mOhm 21nC
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
1,000:¥3.1753
4,000:¥3.1753
参考库存:27745
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 20nC
1:¥9.2208
10:¥7.8422
100:¥6.0794
500:¥5.3675
1,000:¥4.2375
4,000:¥4.2375
参考库存:22612
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