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晶体管
NGD8201ANT4G参考图片

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NGD8201ANT4G

  • Littelfuse
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  • IGBT 晶体管 NGD8201ANT4G GEN4 IGBT
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数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥8.9157
89.157
100
¥6.7913
679.13
500
¥6.0003
3000.15
1,000
¥4.8816
4881.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
440 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
15 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
125 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
NGD8201A
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Littelfuse
栅极—射极漏泄电流
300 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,NGD8201ANT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV
5,000:¥4.52
10,000:¥4.3505
参考库存:42273
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.39
1,000:¥2.712
参考库存:42278
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 10K 4.7K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:42283
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 2.0A 1.0W
500:¥30.2727
1,000:¥28.589
2,000:¥27.5042
参考库存:42288
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 150mW
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:63596
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