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晶体管
SIHA120N60E-GE3参考图片

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SIHA120N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220
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数量单价合计
1
¥40.567
40.567
10
¥33.5836
335.836
100
¥27.6624
2766.24
250
¥26.8149
6703.725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
65 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
19 ns
商品其它信息
优势价格,SIHA120N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 700V, 4.5A, 900mOhm
1:¥12.9046
10:¥11.4469
100:¥9.0626
500:¥7.006
2,500:¥5.0059
5,000:查看
参考库存:4772
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2772
500:¥6.4297
2,500:¥4.4974
10,000:查看
参考库存:16624
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 70A D2PAK-2 SIPMOS
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥14.5996
500:¥12.8368
1,000:¥10.5994
参考库存:5196
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 20V 3A MPT3
1:¥3.1527
10:¥2.5651
100:¥1.5707
1,000:¥1.2091
2,000:¥1.02943
参考库存:7383
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥16.7466
10:¥13.9103
100:¥10.7576
500:¥9.4468
3,000:¥9.4468
参考库存:196980
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