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晶体管
DDTB113ZC-7-F参考图片

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DDTB113ZC-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 预偏置 200MW 1K 10K
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数量单价合计
1
¥1.7628
1.7628
10
¥1.243
12.43
100
¥0.52206
52.206
1,000
¥0.35369
353.69
3,000
¥0.27685
830.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
1 kOhms
典型电阻器比率
0.1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
56
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极连续电流
500 mA
峰值直流集电极电流
500 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DDTB113
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.05 mm
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DDTB113ZC-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥2.9945
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
2,000:¥0.44522
参考库存:89290
晶体管
MOSFET 30V 12.5A 8.2 OHMS NCH
1:¥6.3732
10:¥5.4127
100:¥4.1584
500:¥3.6725
2,500:¥2.5764
10,000:查看
参考库存:20057
晶体管
MOSFET N-channel 80 V 9.9 mo FET
1:¥8.4524
10:¥7.2094
100:¥5.537
500:¥4.8929
1,000:¥3.8646
1,500:¥3.8646
参考库存:16749
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 30V NPN
1:¥0.84524
10:¥0.73789
100:¥0.26103
1,000:¥0.17628
10,000:¥0.11526
20,000:查看
参考库存:338086
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A 100V NPN
1:¥3.616
10:¥2.3617
100:¥1.01474
1,000:¥0.78422
2,000:¥0.59212
参考库存:110813
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