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晶体管
RGT16NS65DGTL参考图片

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RGT16NS65DGTL

  • ROHM Semiconductor
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  • IGBT 晶体管 650V 8A IGBT Stop Trench
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数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.5316
105.316
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.119
3559.5
1,000
¥5.6161
5616.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
94 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGT16NS65D
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
16 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
8 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
RGT16NS65D(LPDS)
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,RGT16NS65DGTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS5255PAPS/HUSON6/REEL 7" Q1
1:¥4.068
10:¥3.3561
100:¥2.0453
1,000:¥1.582
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1:¥4.7686
10:¥3.8985
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
1,500:¥1.5707
参考库存:19721
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥27.8206
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.436
参考库存:28163
晶体管
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1:¥4.4522
10:¥3.6951
100:¥2.2487
1,000:¥1.7402
2,500:¥1.4803
参考库存:16225
晶体管
MOSFET N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
1:¥34.1938
10:¥29.041
100:¥25.199
250:¥23.8995
参考库存:30642
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