APT100GN120JDQ4详细参数_参考价格_APT100GN120JDQ4 PDF资料_Microsemi

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	1.2 kV
集电极—射极饱和电压	1.7 V
在25 C的连续集电极电流	153 A
栅极—射极漏泄电流	600 nA
Pd-功率耗散	446 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

优势价格，APT100GN120JDQ4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BC859C,215	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7	1:¥2.4634 10:¥1.6272 100:¥0.68365 1,000:¥0.46104 3,000:¥0.3616	参考库存:86654
RS3E095BNGZETB	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Nch 30V 9.5A Si MOSFET	1:¥6.3054 10:¥5.2319 100:¥3.3787 1,000:¥2.8476 2,500:¥2.825	参考库存:26851
IPAN70R360P7SXKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET CONSUMER	1:¥8.9948 10:¥7.684 100:¥5.9099 500:¥5.2206 1,000:¥4.1132	参考库存:4568
SPD08N50C3ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET LOW POWER_LEGACY	1:¥13.0628 10:¥11.0627 100:¥8.8366 500:¥7.7631 2,500:¥6.0116 5,000:查看	参考库存:13985
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