BSS169 H6906详细参数_参考价格_BSS169 H6906 PDF资料_Infineon Technologies

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Id-连续漏极电流	90 mA
Rds On-漏源导通电阻	12 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压	2.9 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	2.8 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	360 mW
配置	Single
通道模式	Depletion
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.1 mm
长度	2.9 mm
产品	MOSFET Small Signal
系列	BSS169
晶体管类型	1 N-Channel
类型	SIPMOS Small Signal Transistor
宽度	1.3 mm
商标	Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值	0.1 S
下降时间	27 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	2.7 ns
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	11 ns
典型接通延迟时间	2.9 ns
零件号别名	BSS169H6906XTSA1 SP000702582
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TSM80N400CF C0G	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 800V, 12A N-Channel Power MOSFET	1:¥31.1993 10:¥27.8884 25:¥25.0521 100:¥22.826	参考库存:12124
BCX5616H6433XTMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS	1:¥3.2996 10:¥2.5199 100:¥1.3673 1,000:¥1.02943 4,000:¥0.88366 8,000:¥0.82942	参考库存:42176
SI4948BEY-T1-E3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8	1:¥10.2152 10:¥8.4524 100:¥6.4523 500:¥5.5596 1,000:¥4.3844 2,500:¥4.3844	参考库存:188258
FDMS86150ET100	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET FET 100V 4.85 MOHM PQFN56	1:¥29.041 10:¥24.6679 100:¥21.357 250:¥20.2835 3,000:¥14.5996 6,000:查看	参考库存:89675
BF556A,215	NXP Semiconductors	晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS	1:¥5.989 10:¥5.3223 25:¥4.8138 100:¥4.2149 3,000:¥2.2939 6,000:查看	参考库存:6497