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晶体管
SI7431DP-T1-GE3参考图片

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SI7431DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存：46,328(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.9623
36.9623
10
¥33.1203
331.203
100
¥27.3573
2735.73
250
¥25.3572
6339.3
3,000
¥17.5941
52782.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
3.6 A
Rds On-漏源导通电阻
147 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SI7
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
17 S
下降时间
66 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
49 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
110 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
SI7431DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SI7431DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SD1490
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,387.9564
10:¥1,273.623
25:¥1,142.995
50:¥1,012.367
参考库存:1027
RGTH40TS65GC11
ROHM Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V 20A IGBT Stop Trench
1:¥16.9839
10:¥14.4414
100:¥11.526
500:¥10.1474
参考库存:1579
SIHH180N60E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
1:¥38.8042
10:¥32.1146
100:¥26.4307
250:¥25.5832
3,000:¥18.3625
参考库存:1116
IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥15.2098
500:¥13.2888
3,000:¥10.2152
6,000:查看
参考库存:1068
DTC143EMFHAT2L
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-723 50V VCC 0.1A IC
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
2,500:¥0.27685
8,000:¥0.23843
参考库存:35380
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