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晶体管
IPW60R099P7XKSA1参考图片

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IPW60R099P7XKSA1

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数量单价合计
1
¥36.9623
36.9623
10
¥31.4253
314.253
100
¥27.2782
2727.82
250
¥25.8205
6455.125
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
77 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
117 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
89 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
IPW60R099P7 SP001647038
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPW60R099P7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTC124TETL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA
1:¥3.6838
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.5989
参考库存:41262
RJK6011DJE-00#Z0
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET
2,500:¥1.7967
5,000:¥1.5255
参考库存:41267
DRA5143Z0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:41272
NVMFS5833NWFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 86A 7.5MOH
5,000:¥3.5595
10,000:¥3.4239
25,000:¥3.3109
参考库存:41277
2SB1698T100
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR BIPOLAR PNP; 30V; 1.5A
1:¥4.3053
10:¥3.5595
100:¥2.1696
1,000:¥1.6724
2,000:¥1.4238
参考库存:41282
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