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晶体管
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IPB64N25S3-20

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数量单价合计
1
¥49.0194
49.0194
10
¥41.6518
416.518
100
¥36.1148
3611.48
250
¥34.2729
8568.225
1,000
¥25.8996
25899.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
64 A
Rds On-漏源导通电阻
17.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
89 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
IPB64N25
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPB64N25S320ATMA1 IPB64N25S32XT SP000876596
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB64N25S3-20的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N3737UB
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RN1115MFV(TPL3)
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暂无价格
参考库存:42961
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