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晶体管
BST51,115参考图片

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BST51,115

  • Nexperia
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  • 达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON
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数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8872
38.872
100
¥2.5086
250.86
1,000
¥2.0001
2000.1
2,000
¥1.695
3390
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
最大直流电集电极电流
1 A
最大集电极截止电流
0.05 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
1000
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
宽度
2.6 mm
商标
Nexperia
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
BST51 T/R
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格,BST51,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL PNP 50V 150MA SOT-363
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.56839
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MOSFET P Chan-20V-2.5A Mid-PowerSwitching
1:¥6.1472
10:¥5.0511
100:¥3.2544
1,000:¥2.6103
3,000:¥2.2035
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1:¥41.4145
10:¥35.1882
100:¥30.51
250:¥28.9732
参考库存:8408
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 450A 650V
1:¥1,086.3594
5:¥1,065.0024
10:¥1,015.3615
25:¥994.0045
参考库存:3815
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥381.9739
5:¥369.1371
10:¥357.1478
25:¥330.2538
参考库存:4127
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