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晶体管
APT28M120L参考图片

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APT28M120L

  • Microsemi
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  • MOSFET Power MOSFET - MOS8
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数量单价合计
1
¥169.4322
169.4322
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-264-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
300 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.135 kW
通道模式
Enhancement
商标名
POWER MOS 8
封装
Tube
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
31 S
下降时间
48 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
31 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
170 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
10.600 g
商品其它信息
优势价格,APT28M120L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥8.2942
10:¥6.7913
100:¥5.2093
500:¥4.4748
1,000:¥3.5369
3,000:¥3.5369
参考库存:10138
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM IPM 3-Phase 10A 600V Rugged IGBT
1:¥85.5975
10:¥78.6819
25:¥75.4614
100:¥66.4666
参考库存:1915
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg
1:¥13.8312
10:¥11.752
100:¥9.379
500:¥8.2264
1,000:¥6.8365
2,000:¥6.8365
参考库存:78537
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 65A 9.3mOhm 83nC
1:¥16.3624
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.6841
1,000:¥8.0682
参考库存:11869
晶体管
MOSFET 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥6.9947
10:¥5.8421
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥2.7233
参考库存:32671
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