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晶体管
IFN401参考图片

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IFN401

  • InterFET
  • 最新
  • JFET Dual JFET N-CH -50V 10mA 300mW 4.3mW
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库存:5,655(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥137.4645
137.4645
10
¥115.6442
1156.442
100
¥106.4234
10642.34
250
¥96.9766
24244.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
InterFET
产品种类
JFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-71-6
晶体管极性
N-Channel
配置
Dual
Vds-漏源极击穿电压
15 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 50 V
Vgs=0时的漏-源电流
10 mA
Id-连续漏极电流
200 uA
Pd-功率耗散
300 mW
系列
IFN40
封装
Bulk
类型
JFET
商标
InterFET
正向跨导 - 最小值
0.5 mS
闸/源截止电压
- 2.5 V
工厂包装数量
1
零件号别名
U401
商品其它信息
优势价格,IFN401的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
1:¥42.3411
10:¥35.9566
100:¥31.1993
250:¥29.5834
参考库存:4255
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN SOT-563 50V VCC 0.1A IC
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
2,500:¥0.40002
8,000:¥0.34578
参考库存:120752
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1:¥16.7466
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9892
1,500:¥7.6727
4,500:查看
参考库存:13789
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 7 mOhm typ., 54 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥7.8422
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
2,500:¥3.1753
10,000:查看
参考库存:27622
晶体管
IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
1:¥39.7986
10:¥33.8887
100:¥29.3574
250:¥27.8206
500:¥24.973
参考库存:9876
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