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晶体管
MJD44H11T4参考图片

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MJD44H11T4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur Switch
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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.9776
39.776
100
¥2.4182
241.82
1,000
¥1.8758
1875.8
2,500
¥1.5933
3983.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
8 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD44H11
高度
2.4 mm
长度
6.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
6.2 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，MJD44H11T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPA60R380C6XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6
1:¥14.1363
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
1,000:¥6.9947
参考库存:29050
IPB60R160P6ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM
1:¥23.3571
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
500:¥14.5996
1,000:¥12.3735
参考库存:31552
2PB709ARL,235
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
10,000:¥0.1695
20,000:查看
参考库存:56454
RS1E200GNTB
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥5.2997
10:¥4.4522
100:¥2.8702
1,000:¥2.3052
2,500:¥1.9436
参考库存:31296
BUK9510-55A,127
Nexperia
晶体管
MOSFET RAIL MOSFET
暂无价格
参考库存:29061

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    50万现货SKU

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