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晶体管
TN0106N3-G参考图片

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TN0106N3-G

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库存:7,751(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.763
5.763
10
¥5.6952
56.952
25
¥4.8251
120.6275
100
¥4.3505
435.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
350 mA
Rds On-漏源导通电阻
3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
225 mS
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6 ns
典型接通延迟时间
2 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,TN0106N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP/NPN
1:¥3.6838
10:¥2.8024
100:¥1.5142
1,000:¥1.1413
8,000:¥0.91417
24,000:查看
参考库存:42603
晶体管
MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
1:¥3.842
10:¥2.8815
100:¥1.5594
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.00683
9,000:¥0.94468
参考库存:26855
晶体管
MOSFET MOSFET, Single P-Ch, -20V, -6.5A
1:¥4.5313
10:¥3.5369
100:¥2.4408
500:¥1.6724
3,000:¥1.12209
9,000:查看
参考库存:54937
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.5199
100:¥1.1639
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.76049
参考库存:52044
晶体管
MOSFET NCH 60V 3.0Mohm
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥16.5206
250:¥15.6731
500:¥14.0572
参考库存:6596
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