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晶体管
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FDN357N

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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.8476
28.476
100
¥1.5481
154.81
1,000
¥1.1639
1163.9
3,000
¥0.99892
2996.76
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.9 A
Rds On-漏源导通电阻
81 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.12 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDN357N
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
FDN357N_NL
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格,FDN357N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT NPN 200MA TR
1:¥2.9945
10:¥2.1018
100:¥0.96841
1,000:¥0.7458
8,000:¥0.5763
24,000:查看
参考库存:40720
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:40725
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:40730
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 200mA SOT-23-3
1:¥2.7685
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.42262
参考库存:40735
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥29.1992
10:¥26.1256
25:¥23.5153
50:¥22.4418
参考库存:40740
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