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晶体管
NTMFS5C604NLT1G参考图片

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NTMFS5C604NLT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET NFET SO8FL 60V 289A 1.2MO
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数量单价合计
1
¥29.2783
29.2783
10
¥24.8939
248.939
100
¥21.5943
2159.43
250
¥20.4417
5110.425
1,500
¥14.7578
22136.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
287 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
120 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
180 S
下降时间
81.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
79.1 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57.8 ns
典型接通延迟时间
21.8 ns
单位重量
112.540 mg
商品其它信息
优势价格,NTMFS5C604NLT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T27S020GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
暂无价格
参考库存:36957
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100:¥272.6238
250:¥254.4195
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥191.4107
200:¥175.6585
500:¥167.127
参考库存:36967
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1,000:¥5.5031
2,000:¥4.7234
4,000:¥4.3053
10,000:¥3.9211
参考库存:36972
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MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
1:¥39.6517
10:¥33.6514
100:¥29.1992
250:¥27.6624
1,000:¥20.9728
2,000:查看
参考库存:8512
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