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晶体管
BCW66HTA参考图片

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BCW66HTA

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Low Saturation
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库存:346,981(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.1018
21.018
100
¥0.90626
90.626
1,000
¥0.69947
699.47
3,000
¥0.52997
1589.91
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
75 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
700 mV
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BCW66
高度
1.1 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.8 A
Pd-功率耗散
330 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BCW66HTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
1:¥2,641.375
5:¥2,577.9029
10:¥2,513.8206
25:¥2,478.6324
参考库存:2458
晶体管
MOSFET 80V N-Channel QFET
1:¥46.104
10:¥39.1093
100:¥33.9678
250:¥32.1937
参考库存:4000
晶体管
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:27302
晶体管
MOSFET PWM PFC COMBO
1:¥48.7934
10:¥41.4936
100:¥35.9566
250:¥34.1147
500:¥30.5778
800:¥30.5778
参考库存:6359
晶体管
MOSFET N-CH 250V HEXFET MOSFET
1:¥25.6623
10:¥21.2892
参考库存:6801
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