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晶体管
TSM60N380CI参考图片

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TSM60N380CI

  • Taiwan Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 11A, 380mOhm
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数量单价合计
4,000
¥8.9157
35662.8
5,000
¥8.6106
43053
10,000
¥8.3733
83733
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
ITO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
310 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
20.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
C0G TSM60N380CI
商品其它信息
优势价格,TSM60N380CI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz
1:¥14.7578
10:¥12.5204
100:¥10.0683
500:¥8.7575
1,000:¥7.2546
参考库存:10124
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain
1:¥4.9155
10:¥4.1358
100:¥2.5199
1,000:¥1.9549
2,000:¥1.6724
参考库存:10341
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V
1:¥1.5368
10:¥1.2543
100:¥0.44522
1,000:¥0.29945
20,000:¥0.17628
40,000:查看
参考库存:98923
晶体管
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥14.5996
500:¥12.8368
800:¥10.5994
参考库存:22830
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 0.3 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package
1:¥28.4308
10:¥24.2046
100:¥20.9728
250:¥19.8993
参考库存:9662
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