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晶体管
IPN80R4K5P7ATMA1参考图片

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IPN80R4K5P7ATMA1

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数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.955
39.55
100
¥2.5538
255.38
1,000
¥2.0453
2045.3
3,000
¥1.7176
5152.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
3.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
80 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPN80R4K5P7 SP001657536
商品其它信息
优势价格,IPN80R4K5P7ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 40V
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:31134
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥2.6894
10:¥1.7176
100:¥0.73789
1,000:¥0.56839
参考库存:37306
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single PNP -60V -5A 600mW 110MHz
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.5594
参考库存:27308
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A DUAL
1:¥1,120.2481
5:¥1,098.2696
10:¥1,047.0241
25:¥1,025.0456
参考库存:7350
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.47K
3,000:¥0.49946
9,000:¥0.44522
24,000:¥0.41471
参考库存:29815
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