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晶体管
FQP10N20C参考图片

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FQP10N20C

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数量单价合计
1
¥8.7575
8.7575
10
¥7.458
74.58
100
¥5.7291
572.91
500
¥5.0511
2525.55
1,000
¥4.0002
4000.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
9.5 A
Rds On-漏源导通电阻
360 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
72 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP10N20C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
5.5 S
下降时间
72 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
92 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FQP10N20C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt
1:¥1,206.8513
参考库存:5455
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1:¥26.2838
10:¥21.7412
100:¥17.8992
250:¥17.3681
500:¥16.1364
参考库存:50782
晶体管
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1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:7452
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.6103
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.40002
参考库存:13859
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) I2C BUS 8Kbit EEPROM
2,500:¥2.6216
10,000:¥2.5199
25,000:¥2.4408
参考库存:50791
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