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晶体管
ZXMN3F31DN8TA参考图片

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ZXMN3F31DN8TA

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET
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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.2432
52.432
100
¥3.3787
337.87
500
¥3.3787
1689.35
1,000
¥2.7007
2700.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7.3 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
5 mm
系列
ZXMN3
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
4 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.3 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
2.9 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,ZXMN3F31DN8TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 50A 650V
1:¥502.1494
5:¥492.9286
10:¥480.1709
25:¥470.7241
参考库存:2495
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:95922
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
10,000:¥0.37629
20,000:查看
参考库存:82019
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥22.6678
10:¥19.21
100:¥16.6788
250:¥15.8313
500:¥14.2154
800:¥14.2154
参考库存:3486
晶体管
MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:6378
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