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晶体管
IPB47N10SL-26参考图片

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IPB47N10SL-26

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数量单价合计
1
¥14.8256
14.8256
10
¥12.5995
125.995
100
¥10.0683
1006.83
500
¥8.8366
4418.3
1,000
¥7.2885
7288.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
47 A
Rds On-漏源导通电阻
26 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
175 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
SIPMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
SIPMOS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
70 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
100 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
50 ns
零件号别名
IPB47N10SL26ATMA1 IPB47N1SL26XT SP000225701
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB47N10SL-26的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 30 V, 0.01 Ohm, 55 A, I2PAK STripFET(TM) II Power MOSFET
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2828
500:¥5.5596
参考库存:14452
晶体管
MOSFET 1200V 45A Standard
1:¥303.5971
5:¥288.5342
10:¥280.8502
25:¥273.008
50:¥258.0242
参考库存:5149
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 3A Transistor
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:8236
晶体管
MOSFET 60V 200mW
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:832728
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥136.5492
10:¥124.0966
25:¥114.7967
50:¥108.5704
参考库存:5140
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