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晶体管
DST3904DJ-7参考图片

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DST3904DJ-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V Dual NPN TRAN Ic 200mA 60V VCBO
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥1.9436
19.436
100
¥0.83733
83.733
1,000
¥0.63732
637.32
10,000
¥0.43053
4305.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-963-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.3 V
最大直流电集电极电流
0.2 A
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DST39
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 100 mA, 1 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30 at 100 mA, 1 V
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,DST3904DJ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR 56BS/SOT363/
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:298732
晶体管
MOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM
1:¥6.5314
10:¥5.424
100:¥3.503
1,000:¥2.8024
2,500:¥2.3617
参考库存:14319
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 3.2A 100mOhm 6.4nC LogLvl
1:¥3.9211
10:¥3.2996
100:¥2.0114
1,000:¥1.5481
3,000:¥1.3334
参考库存:21296
晶体管
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -0.2A -60V 20V
1:¥7.0738
10:¥5.4353
100:¥3.503
1,000:¥2.8024
3,000:¥2.3617
参考库存:3998
晶体管
MOSFET N-Ch 55V 19A D2PAK-4
1:¥28.9732
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
1,000:¥15.368
2,000:查看
参考库存:4310
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