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晶体管
DMN33D8LV-7参考图片

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DMN33D8LV-7

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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, NPN
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
350 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
430 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
13.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.2 ns
典型接通延迟时间
2.9 ns
商品其它信息
优势价格,DMN33D8LV-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -120A D2PAK-2 OptiMOS-P2
1:¥17.8992
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.5994
1,000:¥8.7575
参考库存:106132
晶体管
MOSFET SC89-6 COMP NCH & PCH POWER T
1:¥3.6838
10:¥2.825
100:¥1.5255
1,000:¥1.1526
3,000:¥0.99101
参考库存:231359
晶体管
MOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
1:¥11.8311
10:¥10.1474
100:¥7.7631
500:¥6.893
1,000:¥5.4353
5,000:¥5.4353
参考库存:41916
晶体管
MOSFET 60V 0.24A
1:¥4.3844
10:¥2.4634
100:¥1.3221
500:¥1.05994
3,000:¥0.68365
6,000:查看
参考库存:1631368
晶体管
MOSFET 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch
1:¥3.2318
10:¥2.4182
100:¥1.3108
1,000:¥0.9831
8,000:¥0.791
24,000:查看
参考库存:76395
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